低溫原位掃描隧道-角分辨光電子譜實驗站通過超高真空管道連接極低溫強(qiáng)磁場掃描隧道顯微鏡(STM)、高分辨角分辨光電子能譜(ARPES)、氧化物分子束外延(OMBE)、激光分子束外延(LMBE),實現(xiàn)外延生長高質(zhì)量的薄膜樣品,繼而對樣品在實空間和動量空間的電子結(jié)構(gòu)進(jìn)行聯(lián)合表征。該實驗站是材料探索和物性研究的先進(jìn)實驗平臺,能夠程序控制自動生長高質(zhì)量的復(fù)雜組分薄膜樣品(OMBE、LMBE),繼而超高真空傳輸至STM和ARPES測量局域電子態(tài)密度(STM 0.3?K,16?T)和電子能帶結(jié)構(gòu)(ARPES 4K,3?meV),其原位生長和表征的特點在復(fù)雜材料的表面物理研究中具有明顯的技術(shù)優(yōu)勢。實驗站能夠為國內(nèi)外科研單位從事量子材料生長表征提供優(yōu)質(zhì)的實驗研究資源。
趙老師,郵箱:zhaojiali@iphy.ac.cn