2008年5月報道:近日,合肥國家同步輻射實驗室用戶—微電子所納米加工與新器件集成技術(shù)實驗室研究人員在深入研究不同轉(zhuǎn)變機理的各種電阻轉(zhuǎn)變型雙穩(wěn)態(tài)材料基礎(chǔ)上,利用合肥光源的兩次X射線曝光技術(shù),成功研制了國內(nèi)首個256位分子存儲器電路。
(左圖為二次掩膜照片,右圖為分子存儲器的下電極照片,均采用X射線曝光得到)
國內(nèi)首個256位分子存儲器電路的研制成功,為我國分子電路的高集成度、高速度和低功耗的實現(xiàn)奠定了重要基礎(chǔ),有力推動了我國分子電子學(xué)的發(fā)展。
兩次同步輻射X射線曝光技術(shù)作為該器件研制過程中的關(guān)鍵工藝和關(guān)鍵技術(shù),顯示出合肥光源在實用型研究工作中發(fā)揮越來越重要的作用,同時也表明合肥光源對國家戰(zhàn)略需求和高技術(shù)應(yīng)用領(lǐng)域研究工作的支撐能力有明顯提升。